Размещено на сайте: 04.06.2025 16:34
Ф.И.О. соискателя: | Радам Али Обайд Радам |
Тема диссертации: | «Субструктура и оптические свойства эпитаксиальных наноколончатых гетероструктур GaN/AlGaN/GaN, сформированных на гибридных подложках SiC/porSi » |
Соискание степени: | кандидата физико-математических наук |
Диссертационный совет: | 24.2.288.05 |
Cпециальность: | 1.3.11. – Физика полупроводников |
Протокол (выписка из протокола) решения диссовета о допуске или отказе диссертации к защите : | Данные отсутствуют |
Диссертация : |
Диссертация_Радам_А.Р..pdf (Файл размещен: 04.06.2025 16:34) |
Автореферат : | Данные отсутствуют |
Отзыв научного руководителя/консультанта : | Данные отсутствуют |
Отзыв официального оппонента : | Данные отсутствуют |
Отзыв ведущей организации : | Данные отсутствуют |
Отзывы на автореферат : | Данные отсутствуют |
Сведения о научном руководителе/консультанте, официальных оппонентах, ведущей организации : | Данные отсутствуют |
Апелляция на решение диссовета по вопросу присуждения уч. степени : | Данные отсутствуют |
Решение Министерства образования и науки РФ по апелляции : | Данные отсутствуют |
Информация о результатах публичной защиты : | Данные отсутствуют |
Иная информация о защите, по усмотрению организации : | Данные отсутствуют |