Научно-информационный портал ВГУ
Информация о защите
Размещено на сайте: 04.06.2025 16:34
| Ф.И.О. соискателя: | Радам Али Обайд Радам |
| Тема диссертации: | «Субструктура и оптические свойства эпитаксиальных наноколончатых гетероструктур GaN/AlGaN/GaN, сформированных на гибридных подложках SiC/porSi » |
| Соискание степени: | кандидата физико-математических наук |
| Диссертационный совет: | 24.2.288.05 |
| Cпециальность: | 1.3.11. – Физика полупроводников |
| Дата заседания совета: | 04.07.2025 |
| Протокол (выписка из протокола) решения диссовета о допуске или отказе диссертации к защите : |
Протокол_Радам_А.Р..pdf (Файл размещен: 08.07.2025 13:45) |
| Дата и время защиты: | 02.10.2025 в 15:10 |
| Адрес защиты: | г. Воронеж, Университетская пл., 1, ауд. 428. |
| Диссертация : |
Диссертация_Радам_А.Р..pdf (Файл размещен: 04.06.2025 16:34) |
| Автореферат : |
Автореферат_Радам_А.Р..pdf (Файл размещен: 08.07.2025 13:45) |
| Отзыв научного руководителя/консультанта : |
Отзыв научного_рук_консультанта_Радам_А.Р..pdf (Файл размещен: 08.07.2025 13:46) |
| Отзыв официального оппонента : | Данные отсутствуют |
| Отзыв ведущей организации : | Данные отсутствуют |
| Отзывы на автореферат : | Данные отсутствуют |
| Сведения о научном руководителе/консультанте, официальных оппонентах, ведущей организации : | Данные отсутствуют |
| Апелляция на решение диссовета по вопросу присуждения уч. степени : | Данные отсутствуют |
| Решение Министерства образования и науки РФ по апелляции : | Данные отсутствуют |
| Информация о результатах публичной защиты : | Данные отсутствуют |
| Иная информация о защите, по усмотрению организации : | Данные отсутствуют |